Qualcomm vừa công bố công nghệ sạc nhanh mới nhất Quick Charge 3.0 cho phép tăng năng lượng sạc hơn 38% so với Quick Charge 2.0 và thêm các tối ưu bổ sung để giúp bảo vệ chu kỳ tuổi thọ pin trên thiết bị di động của bạn. Các cải tiến khác so với chuẩn 2.0 bao gồm sạc nhanh hơn lên đến 27% và giảm tiêu hao năng lượng lên đến 45%.

Qualcomm Quick Charge 3.0 sẽ được trang bị tính năng Optimum Voltage (INOV), một thuật toán mới giúp xác định điện áp tối ưu để làm tăng hiệu quả và tối ưu hóa hiệu suất nhiệt. Điều này có được là chuẩn này cho phép các bước dao động với khoảng nhỏ đến 200mV trong suốt điện áp từ 3.6V đến 20V (Quick Charge 2.0 chỉ cung cấp bốn mức điện áp sạc ở 5V, 9V, 12V và 20V).

Qualcomm cho biết bạn sẽ có thể sạc điện thoại từ 0% đến 80% trong 35 phút. Công nghệ này sẽ có mặt trên các SOC Qualcomm Snapdragon trong năm tới bao gồm Snapdragon 820, 620, 618, 617 và 430. Chúng ta cùng mong đợi tính năng sạc nhanh này cũng sẽ có mặt trên các thiết bị Sony Xperia trong năm 2016.

Quick_Charge_3.0

Theo Xperiablog